深圳市裕硕科技有限公司
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公司动态

FDA50N50


    FET 类型N 通道

    技术MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)500V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)48A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)105 毫欧 @ 24A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)137nC @ 10V

    Vgs(最大值)±20V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)6460pF @ 25V

    FET 功能-

    功率耗散(最大值)625W(Tc)

    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型通孔

    供应商器件封装TO-3PN

    2SK4098FS

    70TPS12PBF

    TIP32ATU

    W91030BS

    FAN5071M

    FAN5056MV85

    CY7C63823-SXC

    LC72722PM-TLM

    E-L6219DS013TR

    ZXTAM322TA

    PSB50530 F V1.2

    SS310

    SS310

    LH0002CH

    LQW18AN22NG00D

    KF5N50FS-U/P

    LQW18AN22NG00D

    STF3NK100Z

    31353R-LF1

    KV1260

    KV1260F22

    KV1260F2-2

    LN2306

    IRF3710PBF

    IRF3710PBF

    IRF3710PBF

    IRF3710SPBF

    IRF3710SPBF

    KRX102U-RTK/P

    NE696M01-T1-A

    BD242BFP

    LT1016IS8

    MPSA12

    STFI10N65K3

    STFI10NK60Z

    KF7N65F-U/PS

    PCA9306DCTR

    LM2576T-ADJ

    LM2576T-ADJ

    LM2576T-5.0

    LM2576HVT-ADJ

    2SC2236-O

    Y1010DN

    ZXLD1350ET5TA

    HIN202CBNZ

    HIN202EIBNZ

    VND10B

    BC807-25/B

    FDA50N50

    公司名:深圳市裕硕科技有限公司


    联系人:雷先生


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    QQ:2206378527


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[发布时间:2019/9/23 17:38:00]

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