深圳市裕硕科技有限公司
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公司动态

STP11NM60N

    FET 类型N 通道

    技术MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)600V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)450 毫欧 @ 5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)30nC @ 10V

    Vgs(最大值)±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)850pF @ 50V

    FET 功能-

    功率耗散(最大值)90W(Tc)

    工作温度150°C(TJ)

    安装类型通孔

    供应商器件封装TO-220AB

    M2302M3G

    KTA1281-Y-AT/P

    DF3-3S-2C

    ISL9R860P2

    ISL9R860P2

    ISL9R860P2

    SGP20N60HS

    SGP23N60UFTU

    SGP10N60RUFDTU

    SI4410DY+118

    1812SMS-R12GLC

    1812SMS-68NGLC

    1812SMS-82NGLC

    FCA76N60N

    WSL2512R0350FEA

    WSL25123L000FEA

    WSL2512R0350FEA

    IXTL2N450

    SSF6NS70G

    IRS2181PBF

    CSTCE8M00G55-R0

    LM2904DR

    TK22A60V

    RJK6013DPP

    RJK6012DPP

    IRF7204TRPBF

    BYW51-200

    LD8103CS

    LD8103CS

    MJD45H11G

    STP11NM60N

    STP11NK50Z

    STP11NK50Z

    STP11NK50ZFP

    STP11NM60ZFP

    STP11NM60FDFP

    STP11NK50ZFP-H

    SIHF10N40D

    SIHF15N60E

    SIHP35N60E

    SIHG22N60S-E3

    SIHP12N50C-E3

    SIHG22N60S-E3

    SIHF15N60E-GE3

    SIHG73N60E-GE3

    SIHFIB11N50A-E3

    2SK4012

    2SK4065

    2SK4013

    2SK4098FS

    公司名:深圳市裕硕科技有限公司


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[发布时间:2019/9/23 17:37:00]

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